反向传输电容(Crss):380pF,导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,60A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):164nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 380pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,60A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 164nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | - | |
输出电容(Coss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |