反向传输电容(Crss):450pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,20A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):125nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):5720pF,输出电容(Coss):790pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 450pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V,20A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 136W | |
输入电容(Ciss) | 5720pF | |
输出电容(Coss) | 790pF | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥5.567/个 |
10+ | ¥4.589/个 |
50+ | ¥3.582/个 |
100+ | ¥3.097/个 |
500+ | ¥2.803/个 |
1000+ | ¥2.651/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.29544
50 PCS/盘
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