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SI7430DP-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI7430DP-T1-E3
- 商品编号
- C141607
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000131千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.047Ω@8V,25A,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):43nC@8V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):64W,耗散功率(Pd):64W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):26A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.047Ω@8V,25A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@8V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 耗散功率(Pd) | 64W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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