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SI7635DP-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI7635DP-T1-GE3
- 商品编号
- C142568
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000131千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):813pF,导通电阻(RDS(on)):0.0075Ω@4.5V,21A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):54W,输入电容(Ciss):4595pF,输出电容(Coss):910pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 813pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.0075Ω@4.5V,21A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 输入电容(Ciss) | 4595pF | |
| 输出电容(Coss) | 910pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
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