反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):0.0017Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):84nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):104W,耗散功率(Pd):104W,输入电容(Ciss):10995pF,输出电容(Coss):5000pF,连续漏极电流(Id):195A,连续漏极电流(Id):195A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.0017Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 84nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 104W | |
耗散功率(Pd) | 104W | |
输入电容(Ciss) | 10995pF | |
输出电容(Coss) | 5000pF | |
连续漏极电流(Id) | 195A | |
连续漏极电流(Id) | 195A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥18.44/个 |
10+ | ¥15.52/个 |
30+ | ¥13.68/个 |
100+ | ¥11.81/个 |
500+ | ¥10.96/个 |
1000+ | ¥10.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.298
3000 PCS/盘
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