反向传输电容(Crss):79pF@15V,导通电阻(RDS(on)):2.2mΩ@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):77nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):5W,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):3595pF@15V,连续漏极电流(Id):40A,连续漏极电流(Id):35.9A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 79pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,15A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 5W | |
耗散功率(Pd) | 62.5W | |
输入电容(Ciss) | 3595pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 40A | |
连续漏极电流(Id) | 35.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |