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SI7850DP-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI7850DP-T1-E3
- 商品编号
- C435925
- 商品封装
- PowerPAK-SO-8
- 商品毛重
- 0.000177千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.022Ω@10V,10.3A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):4.5W,连续漏极电流(Id):10.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.022Ω@10V,10.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.5W | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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