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IPD70R900P7S
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IPD70R900P7S
- 商品编号
- C150923
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000481千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.9Ω@10V,1.1A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):6.8nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):211pF,输出电容(Coss):5pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@0.06mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9Ω@10V,1.1A | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 211pF | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.06mA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.02/个 |
| 10+ | ¥2.39/个 |
| 30+ | ¥2.12/个 |
| 100+ | ¥1.79/个 |
| 500+ | ¥1.64/个 |
| 1000+ | ¥1.55/个 |
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