反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):1.3Ω@10V,3.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@100uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,3.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.52/个 |
| 10+ | ¥4.4/个 |
| 30+ | ¥3.84/个 |
| 100+ | ¥3.29/个 |
| 500+ | ¥2.96/个 |
| 1000+ | ¥2.79/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.5328
50 PCS/盘
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