上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):35ns,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),工作电压:25V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):6.4A,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:1,驱动配置:低边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 8ns | |
下降时间(tf) | 35ns | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
工作电压 | 25V | |
拉电流(IOH) | 4A | |
灌电流(IOL) | 6.4A | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 低边 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.96/个 |
10+ | ¥2.39/个 |
30+ | ¥2.15/个 |
100+ | ¥1.84/个 |
500+ | ¥1.35/个 |
1000+ | ¥1.27/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.181
3000 PCS/盘
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