上升时间(tr):48ns,下降时间(tf):35ns,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),工作电压:40V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):3.8A,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:1,驱动配置:低边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 48ns | |
下降时间(tf) | 35ns | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
工作电压 | 40V | |
拉电流(IOH) | 4A | |
灌电流(IOL) | 3.8A | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 低边 |