反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ@4.5V,3A,工作温度:-,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):0.8W,输入电容(Ciss):520pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V,3A | |
工作温度 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.8W | |
输入电容(Ciss) | 520pF | |
输出电容(Coss) | 130pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |