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FDN361BN
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDN361BN
- 商品编号
- C188506
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):23pF,导通电阻(RDS(on)):160mΩ@4.5V,1.2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.5W,输入电容(Ciss):193pF,输出电容(Coss):47pF,连续漏极电流(Id):1.4A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@4.5V,1.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 193pF | |
| 输出电容(Coss) | 47pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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