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1个N沟道耐压:60V

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品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
厂家型号: NTD24N06G-VB
商品编号: C19188172
商品封装: TO-252
商品毛重: 0.00041千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):0.025Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.03Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1500pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	60pF
导通电阻(RDS(on))	0.025Ω@10V
导通电阻(RDS(on))	0.03Ω@4.5V
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	11nC@10V
漏源电压(Vdss)	60V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	-
输入电容(Ciss)	1500pF
输出电容(Coss)	140pF
连续漏极电流(Id)	45A
阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA