温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD8P10TM-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- FQD8P10TM-VB
- 商品编号
- C19626821
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000364千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):41pF,导通电阻(RDS(on)):0.25Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.28Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23.2nC@10V,栅极电荷量(Qg):11.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):32.1W,输入电容(Ciss):1055pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):8.8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.25Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.28Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 32.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1055pF | |
| 输出电容(Coss) | 65pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.634 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车