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GT250P10T
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT250P10T
- 商品编号
- C19673855
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002896千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):73nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):173.6W,输入电容(Ciss):4059pF,输出电容(Coss):333pF,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 73nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 173.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 4059pF | |
| 输出电容(Coss) | 333pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
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| 10+ | ¥4.69/个 |
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| 100+ | ¥3.4/个 |
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