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IMYH200R050M1HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMYH200R050M1HXKSA1
- 商品编号
- C20191546
- 商品封装
- -
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):82nC,漏源电压(Vdss):2000V,耗散功率(Pd):348W,输入电容(Ciss):2425pF,输出电容(Coss):81pF,连续漏极电流(Id):48A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 2000V | |
| 耗散功率(Pd) | 348W | |
| 输入电容(Ciss) | 2425pF | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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