2 Mbit 数据闪存(带额外 64 kbit),最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存实物图
2 Mbit 数据闪存(带额外 64 kbit),最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存缩略图
2 Mbit 数据闪存(带额外 64 kbit),最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存缩略图
2 Mbit 数据闪存(带额外 64 kbit),最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存缩略图
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2 Mbit 数据闪存(带额外 64 kbit),最低工作电压 1.65V 的 SPI 串行闪存

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品牌名称
RENESAS(瑞萨)/IDT
厂家型号
AT45DB021E-SHN-T
商品编号
C22365780
商品封装
SOIC-8-208mil
商品毛重
0.0002千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

写周期时间(Tw):-,功能特性:硬件写保护,功能特性:绝对写保护,功能特性:软件写保护,功能特性:上电复位,块擦除时间(tBE):-,存储容量:2Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:1.65V~3.6V,待机电流:25uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):20年,时钟频率(fc):85MHz,页写入时间(Tpp):3ms

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属性参数值其他
商品目录NOR FLASH
写周期时间(Tw)-
功能特性硬件写保护
功能特性绝对写保护
功能特性软件写保护
功能特性上电复位
块擦除时间(tBE)-
存储容量2Mbit
工作温度-40℃~+85℃
工作电压1.65V~3.6V
待机电流25uA
接口类型SPI
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
时钟频率(fc)85MHz
页写入时间(Tpp)3ms

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