反向传输电容(Crss):180pF,导通电阻(RDS(on)):7.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):70V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):3200pF,输出电容(Coss):440pF,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 3200pF | |
| 输出电容(Coss) | 440pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.61/个 |
| 50+ | ¥1.258/个 |
| 150+ | ¥1.106/个 |
| 500+ | ¥0.918/个 |
| 2500+ | ¥0.834/个 |
| 5000+ | ¥0.783/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.15736
50 PCS/盘
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