反向传输电容(Crss):34pF,导通电阻(RDS(on)):0.75Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):36nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,耗散功率(Pd):45W,输入电容(Ciss):1120pF,输出电容(Coss):192pF,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 34pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.75Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 36nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
耗散功率(Pd) | 45W | |
输入电容(Ciss) | 1120pF | |
输出电容(Coss) | 192pF | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |