反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):1.65Ω@4.5V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):100mW,输入电容(Ciss):12pF,输出电容(Coss):5.5pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65Ω@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 输入电容(Ciss) | 12pF | |
| 输出电容(Coss) | 5.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.375/个 |
| 100+ | ¥0.293/个 |
| 300+ | ¥0.253/个 |
| 1000+ | ¥0.223/个 |
| 5000+ | ¥0.198/个 |
| 10000+ | ¥0.186/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.179
10000 PCS/盘
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