上升时间(tr):-,下降时间(tf):260ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:9V~14V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):3A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):1.3V~2.3V,静态电流(Iq):0.4mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | 260ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 9V~14V | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | 1.3V~2.3V | |
| 静态电流(Iq) | 0.4mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |