上升时间(tr):400ns,下降时间(tf):200ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-45℃~+85℃,工作电压:4.5V~30V,拉电流(IOH):0.8A,灌电流(IOL):1A,特性:-,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-0.3V~1V,输入高电平(VIH):2.5V~5V,静态电流(Iq):4.5mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 400ns | |
| 下降时间(tf) | 200ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -45℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~30V | |
| 拉电流(IOH) | 0.8A | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 特性 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | -0.3V~1V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V~5V | |
| 静态电流(Iq) | 4.5mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |