停产 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片实物图
停产 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片缩略图
停产 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片缩略图
停产 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片缩略图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

停产 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

扩展库
品牌名称
EG(屹晶微)
厂家型号
EG3013
商品编号
C405257
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000145千克(kg)
包装方式
管装

商品参数

上升时间(tr):400ns,下降时间(tf):200ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-45℃~+85℃,工作电压:4.5V~30V,拉电流(IOH):0.8A,灌电流(IOL):1A,特性:-,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-0.3V~1V,输入高电平(VIH):2.5V~5V,静态电流(Iq):4.5mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录栅极驱动IC
上升时间(tr)400ns
下降时间(tf)200ns
传播延迟 tpHL-
传播延迟 tpLH-
工作温度-45℃~+85℃
工作电压4.5V~30V
拉电流(IOH)0.8A
灌电流(IOL)1A
特性-
负载类型MOSFET
负载类型IGBT
输入低电平(VIL)-0.3V~1V
输入高电平(VIH)2.5V~5V
静态电流(Iq)4.5mA
驱动通道数2
驱动配置半桥

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

0.752 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车