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停产 DGD2012S8-13
扩展库- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 厂家型号
- DGD2012S8-13
- 商品编号
- C2676991
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.0001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- ECL99
商品参数
上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:10V~20V,拉电流(IOH):1.9A,灌电流(IOL):2.3A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):120uA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 1.9A | |
| 灌电流(IOL) | 2.3A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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