上升时间(tr):7.2ns,下降时间(tf):5.5ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+140℃,工作电压:8V~17V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):2.4V~4V,输入高电平(VIH):4.2V~5.8V,静态电流(Iq):0.085mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 7.2ns | |
| 下降时间(tf) | 5.5ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ | |
| 工作电压 | 8V~17V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 2.4V~4V | |
| 输入高电平(VIH) | 4.2V~5.8V | |
| 静态电流(Iq) | 0.085mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |