N 沟道 MOSFET 栅极驱动器实物图
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N 沟道 MOSFET 栅极驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
厂家型号
LTC4441IS8-1#PBF
商品编号
C688562
商品封装
SO-8
商品毛重
0.000199千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

上升时间(tr):13ns,下降时间(tf):8ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:5V~25V,拉电流(IOH):6A,灌电流(IOL):6A,特性:欠压保护(UVP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1V~1.8V,输入高电平(VIH):2V~2.8V,静态电流(Iq):250uA,驱动通道数:1,驱动配置:低边

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属性参数值其他
商品目录栅极驱动IC
上升时间(tr)13ns
下降时间(tf)8ns
传播延迟 tpHL-
传播延迟 tpLH-
工作温度-40℃~+125℃
工作电压5V~25V
拉电流(IOH)6A
灌电流(IOL)6A
特性欠压保护(UVP)
特性过热保护(OTP)
负载类型MOSFET
输入低电平(VIL)1V~1.8V
输入高电平(VIH)2V~2.8V
静态电流(Iq)250uA
驱动通道数1
驱动配置低边

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