上升时间(tr):50ns,下降时间(tf):50ns,传播延迟 tpHL:100ns,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:3.3V~3.6V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):-,驱动通道数:-,驱动配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 3.3V~3.6V | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | - |