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用于驱动高端和低端N沟道MOSFET的高压栅极驱动器
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- LM5101AMRX/NOPB
- 商品编号
- C2677212
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000175千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
上升时间(tr):430ns,下降时间(tf):260ns,传播延迟 tpHL:56ns,传播延迟 tpLH:56ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:9V~14V,拉电流(IOH):3A,灌电流(IOL):3A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,输入高电平(VIH):1.8V,静态电流(Iq):0.4mA,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 430ns | |
| 下降时间(tf) | 260ns | |
| 传播延迟 tpHL | 56ns | |
| 传播延迟 tpLH | 56ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 9V~14V | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 灌电流(IOL) | 3A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入高电平(VIH) | 1.8V | |
| 静态电流(Iq) | 0.4mA | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 驱动配置 | 半桥 |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥31.8/个 |
| 10+ | ¥27.08/个 |
| 30+ | ¥24.2/个 |
| 100+ | ¥21.79/个 |
| 102+ | ¥21.79/个 |
| 104+ | ¥21.79/个 |
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