写周期时间(Tw):-,功能特性:坏块管理功能,功能特性:硬件写保护功能,功能特性:读缓存功能,功能特性:OTP区域写保护与锁定功能,功能特性:ECC纠错功能,功能特性:软件复位功能,功能特性:复制回写功能,功能特性:写使能锁存,功能特性:软件写保护功能,块擦除时间(tBE):3ms,存储容量:2Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:50uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):104MHz,页写入时间(Tpp):300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 功能特性 | 坏块管理功能 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能 | |
| 功能特性 | 读缓存功能 | |
| 功能特性 | OTP区域写保护与锁定功能 | |
| 功能特性 | ECC纠错功能 | |
| 功能特性 | 软件复位功能 | |
| 功能特性 | 复制回写功能 | |
| 功能特性 | 写使能锁存 | |
| 功能特性 | 软件写保护功能 | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 接口类型 | SPI | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |