具备双/四路SPI缓冲读取和连续读取功能的3V、1Gb串行SLCNAND闪存实物图

具备双/四路SPI缓冲读取和连续读取功能的3V、1Gb串行SLCNAND闪存缩略图

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具备双/四路SPI缓冲读取和连续读取功能的3V、1Gb串行SLCNAND闪存

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品牌名称: Winbond(华邦)
厂家型号: W25N01GVZEIG
商品编号: C907680
商品封装: WSON-8-EP(6x8)
商品毛重: 0.000313千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: 3A991B1A

商品参数

写周期时间(Tw):-,功能特性:坏块管理功能,功能特性:硬件写保护功能,功能特性:读缓存功能,功能特性:OTP区域写保护与锁定功能,功能特性:ECC纠错功能,功能特性:软件复位功能,功能特性:写使能锁存,功能特性:软件写保护功能,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:1Gbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:10uA,接口类型:SPI,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):104MHz,页写入时间(Tpp):700us

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属性	参数值	其他
商品目录	NAND FLASH
写周期时间(Tw)	-
功能特性	坏块管理功能
功能特性	硬件写保护功能
功能特性	读缓存功能
功能特性	OTP区域写保护与锁定功能
功能特性	ECC纠错功能
功能特性	软件复位功能
功能特性	写使能锁存
功能特性	软件写保护功能
块擦除时间(tBE)	2ms
存储容量	1Gbit
工作温度	-40℃~+85℃
工作电压	2.7V~3.6V
待机电流	10uA
接口类型	SPI
擦写寿命	100000次
数据保留 - TDR(年)	10年
时钟频率(fc)	104MHz
页写入时间(Tpp)	700us