反向传输电容(Crss):7.5pF,导通电阻(RDS(on)):9.7mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):161nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):429W,输入电容(Ciss):4970pF,输出电容(Coss):420pF,连续漏极电流(Id):132A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 161nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 429W | |
输入电容(Ciss) | 4970pF | |
输出电容(Coss) | 420pF | |
连续漏极电流(Id) | 132A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |