反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):1100mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):29nC,漏源电压(Vdss):650V,输入电容(Ciss):1400pF,连续漏极电流(Id):7.4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1100mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 输入电容(Ciss) | 1400pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |