上升时间(tr):6ns,下降时间(tf):6ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.5V~20V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V~1.2V,输入高电平(VIH):2V~2.4V,静态电流(Iq):150uA,驱动通道数:1,驱动配置:低边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 6ns | |
| 下降时间(tf) | 6ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V~1.2V | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.4V | |
| 静态电流(Iq) | 150uA | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 低边 |