上升时间(tr):8ns,下降时间(tf):7ns,工作温度:-40℃~+140℃,工作电压:4.5V~18V,拉电流(IOH):4A,灌电流(IOL):4A,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):1V~1.2V,输入高电平(VIH):2.2V~2.4V,驱动通道数:1,驱动配置:低边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动IC | |
| 上升时间(tr) | 8ns | |
| 下降时间(tf) | 7ns | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 输入低电平(VIL) | 1V~1.2V | |
| 输入高电平(VIH) | 2.2V~2.4V | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 驱动配置 | 低边 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.979/个 |
| 50+ | ¥0.768/个 |
| 150+ | ¥0.665/个 |
| 500+ | ¥0.562/个 |
| 3000+ | ¥0.475/个 |
| 6000+ | ¥0.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.446
3000 PCS/盘
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