反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):5.9Ω@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.9Ω@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.12/个 |
| 10+ | ¥2.38/个 |
| 30+ | ¥2.07/个 |
| 100+ | ¥1.68/个 |
| 500+ | ¥1.48/个 |
| 1000+ | ¥1.37/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.343
2000 PCS/盘
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