反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@5V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1190pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 输入电容(Ciss) | 1190pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.34/个 |
| 10+ | ¥7.84/个 |
| 30+ | ¥6.9/个 |
| 100+ | ¥5.93/个 |
| 500+ | ¥5.49/个 |
| 1000+ | ¥5.3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3
2500 PCS/盘