反向传输电容(Crss):238.5pF,导通电阻(RDS(on)):0.0125Ω@10V,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):34nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):3525pF,输出电容(Coss):344pF,连续漏极电流(Id):46A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 238.5pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.0125Ω@10V | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 34nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 70W | |
输入电容(Ciss) | 3525pF | |
输出电容(Coss) | 344pF | |
连续漏极电流(Id) | 46A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |