温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STD15N65M5
- 商品编号
- C2970542
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000476千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):0.34Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):816pF,输出电容(Coss):23pF,连续漏极电流(Id):11A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):5V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.34Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 输入电容(Ciss) | 816pF | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.13/个 |
| 10+ | ¥20.65/个 |
| 30+ | ¥20.33/个 |
| 100+ | ¥20.01/个 |
| 102+ | ¥20.01/个 |
| 104+ | ¥20.01/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥18.4092
2500 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉4002元
库存总量
10 PCS电话
顶部
元器件购物车