上升时间(tr):40ns,下降时间(tf):20ns,工作温度:-45℃~+125℃,工作电压:4V~20V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 40ns | |
下降时间(tf) | 20ns | |
工作温度 | -45℃~+125℃ | |
工作电压 | 4V~20V | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.732/个 |
50+ | ¥1.34/个 |
150+ | ¥1.172/个 |
500+ | ¥0.962/个 |
3000+ | ¥0.841/个 |
6000+ | ¥0.785/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.77372
3000 PCS/盘
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