反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):65V,耗散功率(Pd):31W,输入电容(Ciss):900pF,输出电容(Coss):430pF,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 输出电容(Coss) | 430pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.391/个 |
| 50+ | ¥1.102/个 |
| 150+ | ¥0.978/个 |
| 500+ | ¥0.823/个 |
| 2500+ | ¥0.754/个 |
| 5000+ | ¥0.713/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.65596
5000 PCS/盘
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