反向传输电容(Crss):4.3pF,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):74W,输入电容(Ciss):620pF,输出电容(Coss):93pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 输入电容(Ciss) | 620pF | |
| 输出电容(Coss) | 93pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.43/个 |
| 10+ | ¥10.56/个 |
| 50+ | ¥9.39/个 |
| 100+ | ¥8.19/个 |
| 500+ | ¥7.65/个 |
| 1000+ | ¥7.42/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.6388
50 PCS/盘
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