导通电阻(RDS(on)):41mΩ,导通电阻(RDS(on)):41mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):156W,连续漏极电流(Id):46.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ | |
导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 156W | |
连续漏极电流(Id) | 46.5A |