上升时间(tr):30ns,下降时间(tf):20ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:3V~21V,拉电流(IOH):-,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护,负载类型:IGBT,负载类型:MOSFET,驱动通道数:2,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 30ns | |
下降时间(tf) | 20ns | |
传播延迟 tpHL | - | |
传播延迟 tpLH | - | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 3V~21V | |
拉电流(IOH) | - | |
灌电流(IOL) | - | |
特性 | 欠压保护 | |
负载类型 | IGBT | |
负载类型 | MOSFET | |
驱动通道数 | 2 | |
驱动配置 | 半桥 |