上升时间(tr):13ns,下降时间(tf):13ns,传播延迟 tpHL:35ns,传播延迟 tpLH:35ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:3.5V~15V,灌电流(IOL):-,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),特性:过热保护(OPT),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):1.3V~1.8V,输入高电平(VIH):1.7V~2.2V,静态电流(Iq):225uA,驱动通道数:1,驱动配置:高边
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 13ns | |
下降时间(tf) | 13ns | |
传播延迟 tpHL | 35ns | |
传播延迟 tpLH | 35ns | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
工作电压 | 3.5V~15V | |
灌电流(IOL) | - | |
特性 | 欠压保护(UVP) | |
特性 | 过压保护(OVP) | |
特性 | 过热保护(OPT) | |
负载类型 | MOSFET | |
输入低电平(VIL) | 1.3V~1.8V | |
输入高电平(VIH) | 1.7V~2.2V | |
静态电流(Iq) | 225uA | |
驱动通道数 | 1 | |
驱动配置 | 高边 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥52.09/个 |
10+ | ¥44.58/个 |
30+ | ¥40/个 |
100+ | ¥35.0752/个 |
102+ | ¥35.0752/个 |
104+ | ¥35.0752/个 |
整盘
单价
整盘单价¥36.8
50 PCS/盘
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