反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):30Ω@4V,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):50V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):300mW,输入电容(Ciss):16pF@5V,连续漏极电流(Id):100mA,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@1uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@4V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 输入电容(Ciss) | 16pF@5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@1uA |