反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):3.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,栅极电荷量(Qg):7.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):24W,耗散功率(Pd):39W,输入电容(Ciss):1150pF,输入电容(Ciss):2270pF@15V,输出电容(Coss):380pF,连续漏极电流(Id):55A,连续漏极电流(Id):85A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V,阈值电压(Vgs(th)):1.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 输入电容(Ciss) | 1150pF | |
| 输入电容(Ciss) | 2270pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 380pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.39/个 |
| 10+ | ¥5.24/个 |
| 30+ | ¥4.61/个 |
| 100+ | ¥3.89/个 |
| 500+ | ¥3.57/个 |
| 1000+ | ¥3.43/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.392
3000 PCS/盘
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