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NTD4965N-1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD4965N-1G
- 商品编号
- C3288519
- 商品封装
- IPAK
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):340pF,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):28.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):38.5W,输入电容(Ciss):1710pF,输出电容(Coss):664pF,连续漏极电流(Id):68A,连续漏极电流(Id):68A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 38.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1710pF | |
| 输出电容(Coss) | 664pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 连续漏极电流(Id) | 68A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
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