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TK8Q65W,S1Q
扩展库- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 厂家型号
- TK8Q65W,S1Q
- 商品编号
- C5798231
- 商品封装
- IPAK
- 商品毛重
- 0.000677千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):670mΩ@10V,3.9A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):80W,输入电容(Ciss):570pF@300V,连续漏极电流(Id):7.8A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 670mΩ@10V,3.9A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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