反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):0.0058Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):65nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):1780pF,输出电容(Coss):630pF,连续漏极电流(Id):88A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.0058Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | 1780pF | |
输出电容(Coss) | 630pF | |
连续漏极电流(Id) | 88A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |