SIJA58ADP-T1-GE3实物图
温馨提示:图片仅供参考,商品以实物为准

SIJA58ADP-T1-GE3

扩展库
品牌名称
VISHAY(威世)
厂家型号
SIJA58ADP-T1-GE3
商品编号
C3289504
商品封装
PowerPAK-SO-8
商品毛重
0.000171千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):52pF,导通电阻(RDS(on)):0.00395Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.5nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):56.8W,耗散功率(Pd):56.8W,输入电容(Ciss):3030pF,输出电容(Coss):550pF,连续漏极电流(Id):109A,连续漏极电流(Id):109A,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@250uA

找到类似商品:0查看类似商品
属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)52pF
导通电阻(RDS(on))0.00395Ω@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量1个N沟道
栅极电荷量(Qg)18.5nC@10V
漏源电压(Vdss)40V
类型N沟道
耗散功率(Pd)56.8W
耗散功率(Pd)56.8W
输入电容(Ciss)3030pF
输出电容(Coss)550pF
连续漏极电流(Id)109A
连续漏极电流(Id)109A
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA

数据手册PDF

放大查看

无法嵌入内容,点击此处查看

预订参考价

1.23 / PCS

库存总量

0 PCS
电话
顶部
元器件购物车